Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

A. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO

B. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO

C. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO

D. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO

A. Có cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là V-mosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu A, B, C đều đúng