Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs)

D. Các phát biểu trên đều đúng

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu A, B, C đều đúng

A. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO

B. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO

C. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO

D. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO