Câu hỏi:

29/04/2020 430 Lưu

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?

Quảng cáo

Trả lời:

verified
Giải bởi Vietjack

Đáp án A

Khoảng vân giao thoa:

Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.

CÂU HỎI HOT CÙNG CHỦ ĐỀ

Câu 1

Lời giải

Đáp án B

Độ hụt khối của hạt nhân Ar1840:

Năng lượng liên kết riêng của hạt nhân Ar1840

Độ hụt khối của hạt nhân Li36:

Năng lượng liên kết riêng của hạt nhân Li36

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP