Xét ba loại êlectrôn trong một tấm kim loại:  

          + Loại 1 là các êlectrôn tự do nằm ngay trên bề mặt tấm kim loại.

          + Loại 2 là các êlectrôn nằm sâu bên trong tấm kim loại. 

          + Loại 3 là các êlectrôn liên kết ở các nút mạng kim loại.

 Những phôtôn nào có năng lượng đúng bằng công thoát của êlectrôn khỏi kim loại nói trên sẽ có khả năng giải phóng các loại êlectrôn nào khỏi tấm kim loại?

Một vòng dây có diện tích S = 0,01 $m^2$  và điện trở R = 0,45 Ω, quay đều với tốc độ góc ω = 100 rad/s trong một từ trường đều có cảm ứng từ B = 0,1 T xung quanh một trục nằm trong mặt phẳng vòng dây và vuông góc với các đường sức từ. Nhiệt lượng tỏa ra trong vòng dây khi nó quay được 1000 vòng là

Xác định độ lớn điện tích nguyên tố e bằng cách dựa vào định luật II Fa–ra–đây về điện phân. Biết số Fa–ra–đây F = 96500 C/mol, số Avo–ga–dro N_A = 6,023.${10}^{23}$.

Một vòng dây dẫn phẳng có diện tích 100$c{m}^2$, quay đều quanh một trục đối xứng (thuộc mặt phẳng vòng dây), trong từ trường đều có vectơ cảm ứng từ vuông góc với trục quay. Biết từ thông cực đại qua vòng dây là 0,004 Wb. Độ lớn cảm ứng từ là

Một khung dây phẳng đặt trong từ trường đều nhưng biến đổi theo thời gian, các đường sức từ nằm trong mặt phẳng của khung. Trong 0,1 s đầu cảm ứng từ tăng từ ${10}^{-5}$ T đến 2.${10}^{-5}$ T; 0,1 s tiếp theo cảm ứng từ tăng từ 2.${10}^{-5}$ T đến 5.${10}^{-5}$ T. Gọi $e_1$ và $e_2$ là suất điện động cảm ứng trong khung dây ở giai đoạn 1 và giai đoạn 2 thì

Khi nói về phản ứng hạt nhân, phát biểu nào sau đây là đúng?

Một chùm tia sáng hẹp truyền từ môi trường (1) chiết suất $n_1$ tới mặt phẳng phân cách với môi trường (2) chiết suất $n_2$. Cho biết $n_1<n_2$ và i có giá trị thay đổi. Trường hợp nào sau đây có hiện tượng phản xạ toàn ?

Một nguồn sáng điểm S đặt trên trục chính thấu kính hội tụ (tiêu cự 20 cm) phát ra chùm sáng phân kì hướng về phía thấu kính. Phía sau thấu kính đặt màn quan sát M đặt vuông góc với trục chính và cách thấu kính 180 cm. Thấu kính có đường rìa là đường tròn. Tìm khoảng cách từ S đến thấu kính để trên màn thu được một vệt sáng hình tròn có đường kính gấp 4 lần đường kính của rìa thấu kính.