Phát biểu nào đúng cho SCS (Silicon Controlled Switch) (C)
A. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng
B. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng
C. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt
D. Các phát biểu trên đều đúng
Câu hỏi trong đề: 100+ câu trắc nghiệm Điện tử công suất có đáp án !!
Quảng cáo
Trả lời:
Giải bởi Vietjack
Chọn đáp án C
Hot: Đăng kí gói VIP VietJack thi online kèm đáp án chi tiết không giới hạn toàn bộ website (chỉ từ 199k). Đăng kí ngay
Sách thầy cô Vietjack biên soạn:
CÂU HỎI HOT CÙNG CHỦ ĐỀ
Câu 1
A. Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ
B. Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn
C. Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
D. Các câu A và C đều đúng
Lời giải
Chọn đáp án D
Câu 2
A. PT = PON + POFF + PSW
B. PT = VDSID\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]
C. PT = VCDID\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]
D. PT = \(\frac{1}{6}\)VDSmaxID(tswon + tswoff)f
Lời giải
Chọn đáp án A
Câu 3
A. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO
B. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO
C. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO
D. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 4
A. WSWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswoff
B. WSWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswon
C. WSWON = \(\frac{1}{3}\)V.I.tswon
D. WSWON = \(\frac{1}{3}\)V.I.tswoff
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 5
A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất
B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất
C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất
D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 6
A. WSWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswoff
B. WSWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.tswon
C. WSWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.tswon
D. WSWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.tswoff
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 7
A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
B. Transistor có cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
D. Các câu A, B, C đều đúng
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Nhắn tin Zalo