Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. UC> UB> UE

B. UC< UB< UE

C. UC< UE< UB

D. UC> UE> UB

A. 2 lớp bán dẫn

B. 3 lớp bán dẫn

C. 4 lớp bán dẫn

D. 5 lớp bán dẫn

A. Ngưng dẫn và khuếch đại

B. Không phân cực

C. Bảo hòa và khuếch đại

D. Ngưng dẫn và bão hòa

A. Khuếch đại

B. Bảo hòa

C. Ngưng dẫn

D. Không phải các chế độ trên

A. Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

B. Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

C. Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

D. Tất cả đều sai

A. Định thiên bằng cầu phân áp

B. Định thiên bằng dòng IB cố định

C. Định thiên bằng hồi tiếp âm điện áp

D. Tất cả các cách trên

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai