Lỗ thủng tròn, tâm O, bán kính 20 cm nằm giữa mặt phẳng rất rộng tích điện đều, mật độ điện mặt +8,86.10^-10 C/m². Cường độ điện trường E tại một điểm trên trục xuyên tâm O, vuông góc với mặt phẳng, cách O một đoạn 5 cm là:

Hai điện tích điểm cùng dấu q1 = q2 = q, đặt tại A và B cách nhau một khoảng 2a. Xét điểm M trên trung trực của AB, cách đường thẳng AB một khoảng x. Cường độ điện trường tại M đạt cực đại khi:

Một đĩa tròn bán kính R tích điện đều với mật độ điện tích mặt σ, đặt trong không khí. Phát biểu nào sau đây là SAI, khi nói về vectơ cường độ điện trường tại những điểm nằm trên trục, lân cận tâm O của đĩa?

Trong hệ SI, đơn vị đo thông lượng điện trường là:

Điện tích điểm Q gây ra điện trường tại A và B có cường độ EA = 100 V/m và EB = 1600V/m. Tính cường độ điện trường tại trung điểm M của AB, biết Q – B – A thẳng hàng.

Trong hệ SI, đơn vị đo thông lượng điện cảm là:

Đĩa tròn phẳng, tích điện đều, mật độ điện mặt σ, trong không khí. Cường độ điện trường E trên trục đối xứng xuyên tâm O, cách O một đoạn x, được tính theo biểu thức nào sau đây?