Trong Trasistor lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B)là:

A. Diod thu quang

B. Diod phát quang

C. Transistor thu quang

D. Transistor phát quang

A. 85,71pF

B. 85,61pF

C. 85,81pF

D. 85,91pF

A. U_C > U_B > U_E

B. U_C < U_B</>< U_E</>

C. U_C > U_E > U_B

D. U_C < U_E</>< U_B</>

A. Ngăn điện áp một chiều

B. Lọc tín hiệu

C. Cho tín hiệu xoay chiều đi qua

D. Tất cả đều đúng

A. U_C > U_B > U_E

B. U_C < U_B</>< U_E</>

C. U_C > U_E > U_B

D. U_C < U_E</>< U_B</>

A. Thụ động

B. Bán dẫn

C. Dẫn điện

D. Cách điện

A. Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán sang lớp tiếp xúc tạo nên

B. Các hạt dẫn đa số khuếch tán sang lớp tiếp xúc tạo nên

C. Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tiếp xúc tạo nên

D. Cả hạt dẫn đa số và thiểu số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tiếp xúc tạo nên