Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc

A. Nhân dòng collector với điện trở collector

B. Nhân dòng collector với điện trở tải

C. Cộng điện áp base với điện áp emitter

D. Trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

A. Do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng

B. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

C. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

D. Cả b và c

A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ

B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng

C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại

D. Cả a và c

A. Giá trị công suất trên điện trở collector

B. Hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại

C. Giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp

D. Cả b và c

A. Nối tiếp

B. Nối tiếp / song song

C. Song song

D. Nối tiếp ngược chiều nhau