Nghiên cứu tĩnh lực học của quá trình sấy dựa vào:

A. Phương pháp dùng nhiệt

B. Phương pháp hóa lý

C. Phương pháp cơ học

D. Phương pháp hóa học

A. Nhiệt độ điểm sương

B. Giới hạn làm lạnh không khí ẩm với hàm ẩm không đổi

C. Giới hạn làm lạnh không khí ẩm với nhiệt lượng riêng không đổi

D. Đặc trưng khả năng thu nhiệt của không khí

A. GK = Gđ[(100 - xđ) / (100 - xc)]

B. GK = Gc[(100 - xc) / (100 - xđ)]

C. GK = Gđ[(100 - xđ) / 100]

D. GK = Gc[(100 - xđ) / (100 - xc)]

A. Không cần thiết thu dung môi ở dạng tinh khiết

B. Cần hoàn nguyên dung môi và quá trình hoàn nguyên đơn giản

C. Khi hệ số phân bố A của cấu tử A trong dung môi S tương đương với KB trong cấu tử B

D. Khi không đòi hỏi hoàn nguyên dung môi và quá trình hoàn nguyên khá đơn giản

A. p1, p2 là áp suất hơi riêng phần trên bề mặt vật liệu

B. p1, p2 là áp suất hơi riêng phần trong vật liệu và trong môi trường

C. p1, p2 là áp suất hơi riêng phần trên bề mặt vật liệu và trong môi trường

D. p1, p2 là áp suất hơi riêng phần trong môi trường và trên bề mặt vật liệu

A. Xác định thành phần vật liệu

B. Xác định lượng tác nhân sấy và lượng nhiệt cần thiết

C. Xác định chế độ sấy, tốc độ sấy và thời gian sấy

D. Xác định tính chất và cấu trúc vật liệu

A. Bề mặt riêng than hoạt tính nhỏ hơn Silicagen

B. Cả hai đều được sản xuất từ 1 loại nguyên liệu

C. Cả hai đều được dùng hấp phụ ở điều kiện nhiệt độ tương đương nhau

D. Quá trình kích thích hoạt tính của than hoạt tính thực hiện ở nhiệt độ thấp hơn so với Silicagen