Đặt một điện áp $u=U\sqrt{2}\cos \left(\omega t\right)$V (U và ω không đổi) vào hai đầu đoạn mạch như hình vẽ. Biết $Z_L=\sqrt{3}R$. Điều chỉnh $C=C_1$ thì điện áp hiệu dụng giữa hai đầu tụ điện đạt cực đại thì hệ số công suất trong mạch là $\cos {\phi }_1$; điều chỉnh $C=C_2$ để tổng điện áp hiệu dụng $U_{AM}+U_{MB}$ đạt giá trị cực đại thì hệ số công suất trong mạch là $\cos {\phi }_2$. Khi $C=C_3$ thì hệ số công suất của mạch là $\cos {\phi }_3=\cos {\phi }_1\cos {\phi }_2$ và cường độ dòng điện trong mạch sớm pha hơn điện áp hai đầu đoạn mạch; khi đó tỉ số giữa dung kháng của tụ điện và điện trở thuần gần nhất với giá trị nào sau đây?

Một nhà máy phát điện hạt nhân có công suất phát điện là 1000 MW và hiệu suất 25% sử dụng các thanh nhiên liệu đã được làm giàu ${}_{92}{}^{235}U$ đến 35% ( khối lượng ${}_{92}{}^{235}U$chiếm 35% khối lượng thanh nhiên liệu). Biết rằng trung bình mỗi hạt nhân ${}_{92}{}^{235}U$ phân hạch tỏa ra 200MeV cung cấp cho nhà máy. Cho $N_A=6,022.{10}^{23}mo{l}^{-1};1MeV=1,6.{10}^{-13}J$. Khối lượng các thanh nhiên liệu cần dùng trong một năm (365 ngày) là:

Một vật sáng AB cho ảnh qua thấu kính hội tụ L, ảnh này hứng trên một màn E đặt cách vật một khoảng 1,8 m. Ảnh thu được cao gấp 0,2 lần vật. Tiêu cự của thấu kính là:

Mạch dao động gồm cuộn cảm thuần có độ tự cảm L = 5 mH và tụ điện có C = 2 µF. Điện áp hai bản tụ điện có biểu thức u = 2cosωt V. Từ thông cực đại qua cuộn cảm là:

Tia tử ngoại được ứng dụng để:

Hạt nhân ${}_{Z_1}{}^{A_1}X$ bền hơn hạt nhân ${}_{Z_2}{}^{A_2}Y$, gọi $∆m_1;∆m_2$lần lượt là độ hụt khối của X và Y. Biểu thức nào sau đây đúng?

Hiện tượng quang điện trong là hiện tượng: