Năng lượng để giải phóng một electron liên kết thành electron dẫn trong chất bán dẫn Ge là 0,66 eV. Giới hạn quang dẫn (hay giới hạn quang điện trong) của Ge thuộc vùng ánh sáng

A. 82 prôton. 

B. 128 nuclon. 

C. 82 electron. 

D. 206 nơtron.

A. hướng về phía Q và độ lớn $E=k\frac{\left|Q\right|}{r^2}.$ 

B. hướng về phía Q và độ lớn $E=k\frac{\left|Q\right|}{2r}.$ 

C. hướng ra xa Q và độ lớn $E=k\frac{\left|Q\right|}{2r}.$ 

D. hướng ra xa Q và độ lớn $E=k\frac{\left|Q\right|}{r^2}.$

A. 11 prôtôn và 24 nơtron. 

B. 11 prôtôn và 13 nơtron. 

C. 13 prôtôn và 21 nơtron. 

D. 24 prôtôn và 11 nơtron.

A. 0,03 MeV. 

B. 4,55.10⁻¹⁸ J. 

C. 4,88.10⁻¹⁵ J. 

D. 28,41 MeV.

A. $I=\sqrt{2}A.$

B. $I=2A$

C. $I=\frac{1}{\sqrt{2}}A.$

D. $I=2\sqrt{2}A.$

A. từ 380 mm đến 760 mm. 

B. từ 380 µm đến 760 µm. 

C. từ 380 nm đến 760 nm. 

D. từ 38 nm đến 76 nm.

A. ánh sáng nhìn thấy, tia tử ngoại, tia X, tia gamma, sóng vô tuyến và tia hồng ngoại. 

B. tia gamma, tia X, tia tử ngoại, ánh sáng nhìn thấy, tia hồng ngoại và sóng vô tuyến. 

C. tia hồng ngoại, ánh sáng nhìn thấy. tia tử ngoại, tia X, tia gamma và sóng vô tuyến. 

D. sóng vô tuyến, tia hồng ngoại, ánh sáng nhìn thấy, tia tử ngoại, tia X và tia gamma.