Đĩa tròn phẳng, bán kính a, tích điện đều, mật độ điện mặt σ > 0, trong không khí. Biết \[{{\rm{E}}_{\rm{M}}}{\rm{ = }}\frac{{\rm{\sigma }}}{{{\rm{2}}{{\rm{\varepsilon }}_{\rm{0}}}}}(1 - \frac{{\rm{h}}}{{\sqrt {{{\rm{a}}^{\rm{2}}}{\rm{ + }}{{\rm{h}}^{\rm{2}}}} }})\]là trị số cường độ điện trường tại điểm M trên trục của đĩa, cách tâm O một đoạn h. Chọn gốc điện thế ở vô cùng. Biểu thức điện thế tại M là:

A. \[{{\rm{V}}_{\rm{M}}}{\rm{ = }}\frac{{{\rm{kQ}}}}{{{\rm{2r}}}}\]

B. \[{{\rm{V}}_{\rm{M}}}{\rm{ = }}\frac{{{\rm{kQ}}}}{{{{\rm{r}}^{\rm{2}}}}}\]

C. \[{{\rm{V}}_{\rm{M}}}{\rm{ = }}\frac{{{\rm{\sigma }}{{\rm{R}}^{\rm{3}}}}}{{{\rm{3}}{{\rm{\varepsilon }}_{\rm{0}}}{\rm{r}}}}\]

D. \[{{\rm{V}}_{\rm{M}}}{\rm{ = }}\frac{{{\rm{4}}{{\rm{R}}^{\rm{3}}}}}{{{\rm{3}}{{\rm{\varepsilon }}_{\rm{0}}}{\rm{r}}}}\]

A. q = 8,85.10–4 C

B. 17,72.10– 4 C

C. 35,44.10–4 C

D. 8,85.10–5 C.

A. Là điện trường đều.

B. Tại mọi điểm, vectơ cường độ điện trường luôn hướng vuông góc với (P).

C. Mặt đẳng thế là mặt phẳng song song với (P).

D. A, B, C đều đúng.

A. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường có giá trị lớn nhất và điện thế có giá trị nhỏ nhất.

B. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị lớn nhất.

C. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị nhỏ nhất.

D. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường và điện thế đều triệt tiêu.

A. Là điện trường đều.

B. Càng xa sợi dây, điện thế càng giảm.

C. Mặt đẳng thế là mặt trụ mà sợi dây là trục.

D. Vectơ cường độ điện trường tại mọi điểm luôn hướng vuông góc với sợi dây.

A. Nếu α đi từ A theo vòng tròn lớn đến D rồi đến C thì công có giá trị dương.

B. Nếu α đi từ B theo vòng nhỏ lớn đến C thì công có giá trị âm.

C. Nếu α đi từ C đến D rồi theo vòng tròn lớn đến A thì công có giá trị dương.

D. Nếu α đi từ D theo vòng tròn lớn đến A rồi đến B thì công bằng không.

A. Càng gần (P), điện trường càng mạnh.

B. Càng xa (P), điện thế càng cao.

C. Tại mọi điểm, vectơ cường độ điện trường luôn hướng vuông góc vào (P).

D. Điện thế V biến thiên theo hàm bậc nhất đối với khoảng cách x tính từ (P) đến điểm khảo sát.