Đặc tính C-V trong VLSI đo lường mối quan hệ giữa hai thông số nào sau đây?

A. Simulated Annealing

B. Breadth-First Search

C. Stick Diagram

D. RTL (Register Transfer Level)

A. Hiện tượng tạo ra các mức điện áp khác nhau trên các cổng của mạch

B. Hiện tượng tạo ra sự biến đổi của dòng điện trong mạch

C. Hiện tượng ảnh hưởng đến điện áp nguồn của transistor MOSFET khi cổng và nguồn được nối chung

D. Hiện tượng tạo ra sự nóng chảy trong mạch

A. Xử lý nhanh và hiệu suất cao

B. Dễ dàng thiết kế và mô phỏng

C. Tiết kiệm diện tích trên chip

D. Thực hiện các phép tính tuần tự và lưu trữ dữ liệu

A. Tăng kích thước kênh mạch

B. Giảm kích thước kênh mạch

C. Sử dụng các kỹ thuật kỹ thuật số phức tạp hơn

D. Sử dụng các kỹ thuật kỹ thuật số phức tạp hơn

A. Khả năng xử lý nhanh chóng

B. Tích hợp một số lượng lớn vi mạch và bộ nhớ

C. Hoạt động theo chu trình clock

D. Hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng

A. Sử dụng các loại công nghệ mới

B. Sắp xếp vị trí của các thành phần trên wafer

C. Đảm bảo tính cách ly giữa các lớp trên wafer

D. Kiểm tra độ phản chiếu của wafer

A. Mạch điện tử nhỏ gọn

B. Mạch tích hợp lớn với hàng tỷ thành phần

C. Mạch chứa nhiều vi mạch

D. Mạch tích hợp trên các vi mạch khác