Ô nhớ DRAM được gọi là "Dynamic" vì điểm gì?
A. Nó không thể lưu trữ dữ liệu tạm thời
B. Nó duy trì trạng thái dữ liệu lưu trữ khi không hoạt động
C. Nó chỉ hoạt động khi có dòng điện thông qua nó
D. Nó cần được làm mới thường xuyên để duy trì dữ liệu
Câu hỏi trong đề: 100+ câu trắc nghiệm Thiết kế VLSI có đáp án !!
Quảng cáo
Trả lời:
Giải bởi Vietjack
Chọn đáp án D
Hot: 1000+ Đề thi giữa kì 1 file word cấu trúc mới 2025 Toán, Văn, Anh... lớp 1-12 (chỉ từ 60k). Tải ngay
Sách thầy cô Vietjack biên soạn:
CÂU HỎI HOT CÙNG CHỦ ĐỀ
Câu 1
A. Bộ hafl-adder
B. Bộ full-adder
C. Bộ sub
D. Cổng AND 2 đầu vào
Lời giải
Chọn đáp án B
Câu 2
A. Lưu trữ dữ liệu tạm thời.
B. Tạo hình mạch
C. Kiểm soát dòng điện trong mạch
D. Tạo kết nối giữa các thành phần trên wafer
Lời giải
Chọn đáp án A
Câu 3
A. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer
B. Tạo một lớp silicon trên lớp cách điện
C. Tạo lớp bảo vệ trên wafer
D. Tạo một lớp cách điện trên lớp silicon
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 4
B. Bộ nhớ đọc/ghi, chỉ lưu trạng thái khi cấp điện.
C. Bộ nhớ đọc/ghi, lưu trạng thái khi mất điện.
D. Bộ nhớ chỉ đọc, lưu trạng thái khi không điện.
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 5
A. AND gate
B. OR gate
C. XOR gate
D. Flip-flops
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 6
A. Lưu trữ dữ liệu tạm thời
B. Tạo hình mạch
C. Kiểm soát dòng điện trong mạch
D. Tạo kết nối giữa các thành phần trên wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 7
A. Độ phức tạp trong quá trình chế tạo mạch
B. Độ bền cơ học thấp của wafer
C. Tăng độ cách điện giữa các thành phần mạch
D. Tăng độ kín của mạch
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Nhắn tin Zalo