Điều kiện tác động làm xuất hiện cặp electron-lỗ trống trong chất bán dẫn là

A. Silic (Si)                        

B. Gecmani (Ge)

C. Lưu huỳnh (S)            

D. Sunfua chì (PbS)

A. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn luôn bao gồm cả electron dẫn và lỗ trống

B. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại p chỉ là chỗ trống

C. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại n chỉ là electron 

D. Cả hai loại hạt tải điện gồm electron dẫn và lỗ trống đều mang điện âm

A. Si + As               

B. Si + B            

C. Si + S                   

D. Si + Pb

A. Ge + As             

B. Ge + In     

C. Ge + S         

D. Ge + Pb

A. Là một chuyển tiếp p – n hay n – p

B.  Có khả năng khuếch đại tín hiệu điện

C. Cường độ dòng điện qua cực colecto ${\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}$ bằng cường độ dòng điện qua cực bazo ${\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}$

D. Tranzito hoạt động khi chuyển tiếp E – B giữa cực emito và cực bazo phân cực ngược và chuyển tiếp B – C giữa cực bazo và cực colecto phân cực thuận

A. Trong bán dẫn, mật độ electron luôn luôn bằng mật độ lỗ trống

B. Nhiệt độ càng cao, bán dẫn dẫn điện càng tốt

C. Bán dẫn loại p tích điện dương, vì mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ electron 

D. Bán dẫn có điện trở suất cao hơn kim loại, vì trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện trái dấu, còn trong kim loại chỉ có một loại

A.Tại lớp chuyển tiếp p – n, có sự khuếch tán electron từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n và khuếch tán lỗ trống từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p

B. Khi electron gặp lỗ trống, chúng liên kết và một cặp electron và lỗ trống  biến mất

C. Lớp chuyển tiếp p – n gọi là lớp nghèo vì không có hạt tải điện

D. Điện trở của lớp nghèo trong tiếp xúc p-n rất lớn