Bài 17: Dòng điện trong chất bán dẫn

A. Silic (Si)                        

B. Gecmani (Ge)

C. Lưu huỳnh (S)            

D. Sunfua chì (PbS)

A. Điện trở suất của bán dẫn giảm tuyến tính với nhiệt độ

B. Tính dẫn điện của bán dẫn phụ thuộc vào độ tinh khiết của chất bán dẫn

C. Lỗ trống trong chất bán dẫn là hạt dẫn điện mạng điện tích âm

D. Trong điều kiện nhiệt độ thấp, trong chất bán dẫn có nhiều electron tự do

A. độ ẩm của môi trường                     

B. âm thanh

C. ánh sáng thích hợp                           

D. siêu âm

A. Ge + As             

B. Ge + In     

C. Ge + S         

D. Ge + Pb

A. Si + As               

B. Si + B            

C. Si + S                   

D. Si + Pb

A. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn luôn bao gồm cả electron dẫn và lỗ trống

B. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại p chỉ là chỗ trống

C. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại n chỉ là electron 

D. Cả hai loại hạt tải điện gồm electron dẫn và lỗ trống đều mang điện âm

A. Chỉnh lưu và khuếch đại              

B. Trộn sóng

C. Ổn áp và phát quang                    

D. Chỉnh lưu và dao động

A. 4 lớp          

B. 2 lớp              

C. 3 lớp           

D. 1 lớp

A. 13,6                 

B. 1,0              

C. 1,5              

D. 6,8.

A. Với cùng một hiệu điện thế ngược đặt vào một điôt chỉnh lưu, cường độ dòng điện ngược tăng khi nhiệt độ tăng

B. Có thể dùng điôt phát quang để làm thí nghiệm minh họa tính chỉnh lưu của điôt

C. Phôtôđiôt có thể tạo ra dòng điện, nếu lớp chuyển tiếp p – n của nó được chiếu bằng ánh sáng thích hợp, khi hai của của Phôtôđiôt được nối với một điện trở

D. Có thể thay thế một tranzito n – p – n bằng hai điôt mắc chung ở phía bán dẫn loại p

A. Nhiệt năng thành điện năng

B. Quang năng thành điện năng

C. Cơ năng thành điện năng

D.Hóa năng thành điện năng

A. Là một chuyển tiếp p-n-p

B. Có tác dụng biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu ánh sáng

C. Có tác dụng biến đổi tín hiệu ánh sáng thành tín hiệu điện 

D. Là một biến trở có giá trị thay đổi được dưới tác dụng của ánh sáng

A. Là một chuyển tiếp p – n hay n – p

B.  Có khả năng khuếch đại tín hiệu điện

C. Cường độ dòng điện qua cực colecto ${\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}$ bằng cường độ dòng điện qua cực bazo ${\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}$

D. Tranzito hoạt động khi chuyển tiếp E – B giữa cực emito và cực bazo phân cực ngược và chuyển tiếp B – C giữa cực bazo và cực colecto phân cực thuận

A.Tại lớp chuyển tiếp p – n, có sự khuếch tán electron từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n và khuếch tán lỗ trống từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p

B. Khi electron gặp lỗ trống, chúng liên kết và một cặp electron và lỗ trống  biến mất

C. Lớp chuyển tiếp p – n gọi là lớp nghèo vì không có hạt tải điện

D. Điện trở của lớp nghèo trong tiếp xúc p-n rất lớn

A. Có dòng điện qua điot khi U > 0

B. Có dòng điện qua điot khi U < 0

C. Có dòng điện qua điot khi U = 0

D. Cả A, B, C đều đúng

A. Trong bán dẫn, mật độ electron luôn luôn bằng mật độ lỗ trống

B. Nhiệt độ càng cao, bán dẫn dẫn điện càng tốt

C. Bán dẫn loại p tích điện dương, vì mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ electron 

D. Bán dẫn có điện trở suất cao hơn kim loại, vì trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện trái dấu, còn trong kim loại chỉ có một loại