100+ câu trắc nghiệm Thiết kế VLSI có đáp án - Phần 5
35 người thi tuần này 4.6 1.4 K lượt thi 25 câu hỏi 45 phút
🔥 Đề thi HOT:
400 câu Trắc nghiệm tổng hợp Thanh toán quốc tế có đáp án
860 câu trắc nghiệm tổng hợp Kinh tế chính trị có đáp án -Phần 1
350 Câu hỏi trắc nghiệm tổng hợp Đấu thầu có đáp án - Phần 1
2000+ câu Trắc nghiệm tổng hợp Tư tưởng Hồ Chí Minh có đáp án Phần 1
536 câu trắc nghiệm Kinh tế vi mô có đáp án - Phần I
304 câu trắc nghiệm Khởi nghiệp kinh doanh có đáp án
200 câu trắc nghiệm tổng hợp Giáo dục quốc phòng an ninh có đáp án
860 câu trắc nghiệm tổng hợp Kinh tế chính trị có đáp án -Phần 1 (Part 2)
Nội dung liên quan:
Danh sách câu hỏi:
Câu 1
A. Khi cổng và nguồn được nối chung
B. Khi cổng và nối chung với nguồn thông qua một điện trở
C. Khi cổng và nguồn không nối chung
D. Hiệu ứng body không xảy ra trong mạch MOSFET
Lời giải
Chọn đáp án A
Câu 2
A. Tăng điện áp ngưỡng
B. Giảm điện áp ngưỡng
C. Không ảnh hưởng đến điện áp ngưỡng
D. Điện áp ngưỡng không tồn tại trong transistor MOSFET
Lời giải
Chọn đáp án B
Câu 3
A. Tăng hiệu năng mạch
B. Giảm hiệu năng mạch
C. Tăng hiệu suất mạch
D. Không ảnh hưởng gì đến hiệu năng và hiệu suất mạch
Lời giải
Chọn đáp án B
Câu 4
A. Tăng kích thước transistor
B. Sử dụng điện trở kết nối cổng và nguồn
C. Giảm kích thước transistor
D. Không có biện pháp nào để giảm hiệu ứng body
Lời giải
Chọn đáp án B
Câu 5
A. Một loại mô-đun bán dẫn nhỏ gọn
B. Một thiết bị lưu trữ dữ liệu
C. Một loại vật liệu trắng trong chế tạo mạch
D. Lõi silicon đơn thuần được sử dụng để chế tạo mạch tích hợp
Lời giải
Chọn đáp án D
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 8
A. Loại bỏ các lỗi trong mạch
B. Bảo vệ sự an toàn của người làm việc
C. Tạo ra các tính năng thêm vào trong mạch
D. Định rõ vị trí của các thành phần trên wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 9
A. Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer
B. Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp
C. Quá trình etsa (tạo hình) các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch
D. Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 10
A. Làm mỏng wafer
B. Làm dày wafer
C. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer
D. Tạo bảo vệ bề mặt wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 11
A. Etsa hóa học (Chemical Etching)
B. Etsa plasma (Plasma Etching)
C. Etsa điện hóa (Electrochemical Etching)
D. Etsa laser (Laser Etching)
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 12
A. Transistor MOSFET
B. Các lớp bảo vệ wafer
C. Các tuyến dẫn và kết nối giữa các thành phần
D. Đèn LED
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 13
Quá trình etching trong VLSI có thể dùng để tạo ra các khu vực trên wafer có kích thước như thế nào?
A. Chỉ từ vài micromet đến vài milimet
B. Chỉ từ vài nanomet đến vài micromet
C. Từ vài nanomet đến vài micromet và có thể thậm chí lớn hơn
D. Chỉ từ vài picomet đến vài nanomet
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 14
A. Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer
B. Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp
C. Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch
D. Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 15
A. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer
B. Làm mỏng wafer
C. Tạo bảo vệ bề mặt wafer
D. Tạo các lớp bảo vệ wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 16
A. Chất sơn phủ lên wafer
B. Chất nhạy ánh sáng dùng để chiếu vào wafer
C. Chất tạo hình bề mặt wafer
D. Chất làm mỏng wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 17
A. Ánh sáng có bước sóng dài
B. Ánh sáng có bước sóng ngắn
C. Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả visible và ultraviolet
D. Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả ultraviolet và infrared
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 18
A. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer
B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer
C. Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer
D. Quá trình làm mỏng wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 19
A. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer
B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer
C. Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer
D. Quá trình làm mỏng wafer
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 20
A. Quá trình làm mỏng wafer
B. Quá trình tạo các lỗ giếng không doped trên wafer
C. Quá trình tạo các lỗ giếng doped trên wafer
D. Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 21
A. Giảm tiêu thụ điện năng
B. Tăng hiệu năng mạch
C. Tăng độ chính xác của mạch
D. Giảm kích thước mạch
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 22
A. Twin-well sử dụng hai lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng ba lớp n-well và p-well.
B. Twin-well sử dụng ba lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng hai lớp n-well và p-well.
C. Twin-well và triple-well là hai thuật ngữ đồng nghĩa và có cùng ý nghĩa.
D. Twin-well và triple-well là hai phương pháp khác nhau nhưng không liên quan đến VLSI.
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 23
A. Hiệu ứng body
B. Hiệu ứng kênh dài
C. Hiệu ứng photoresist
D. Hiệu ứng diffusion
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 24
A. Một loại bộ nhớ dùng để lưu trữ dữ liệu
B. Một thành phần bán dẫn dùng để kiểm soát dòng điện trong mạch
C. Một loại linh kiện được sử dụng trong quá trình diffusion
D. Một thành phần bán dẫn dùng để lưu trữ dữ liệu tạm thời
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.
Câu 25
A. Hiệu ứng body
B. Hiệu ứng kênh dài
C. Hiệu ứng kim loại (metal gate effect)
D. Hiệu ứng trễ đầu vào (input delay effect)
Lời giải
Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 199K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.